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【新闻】海力士ST新厂投产中国12英寸线渐热空调设备

发布时间:2020-10-19 04:30:25 阅读: 来源:甲醛生产家厂家

日前,韩国海力士半导体与意法半导体(ST)在江苏无锡合资建立的存储器芯片前端制造厂正式举行开业典礼。该生产线项目自2005年4月开工,随着8英寸晶圆厂的投入生产,今年10月12英寸的晶圆也正式量产,创造了全国乃至全球半导体生产线建设史的“无锡速度”。新生产线中,8英寸DRAM芯片最高工艺达到80nm,12英寸生产线达到55nm,成为我国最先进的12英寸生产线。    中国有望成为12英寸线群聚地   除海力士意法半导体无锡工厂投产之外,还有其他公司表示要在中国市场建设12英寸生产线。据悉,德州仪器在前段时间也公开表示有可能在中国投资建设生产线。与此同时,上海中芯国际12英寸生产线项目正在紧锣密鼓地建设中,已经进入装机阶段,加上之前华虹NEC也在规划12英寸生产线,未来中国12英寸生产线有望增加3条以上。再配合中芯国际在北京已经量产的12英寸生产线,中国半导体制造业正在悄然实现跨越式发展,逐步融入12英寸国际主流市场之列。  12英寸半导体生产线项目在中国的逐步增加,也意味着更多国际厂商和国内企业认识到中国市场将成为未来全球半导体产业发展的重点区域。将制造工厂设立在中国,形成本地化配套和本地化生产已成为国际厂商抢占先机的重要一招。  中国是世界增长最快的半导体市场,目前中国市场占全球市场约15%。据市场调研机构的预测,中国在2008年前将会成为世界最大的半导体市场,市场份额占全球半导体市场的1/4以上。这正是海力士意法半导体抢占先机的重要依据。目前,意法半导体在中国的销售收入已经占全球销售额的25%,中国是意法半导体全球市场中最重要的部分。  意法半导体总裁兼首席执行官Carlo Bozotti表示,韩国海力士半导体与意法半导体在无锡投资20亿美元建立的半导体制造生产线,是采用目前全球最先进的生产技术建设的世界一流晶圆厂。  韩国海力士半导体有限公司董事长兼首席执行官禹义济也表示,海力士半导体将8英寸生产线转移至中国,并进行12英寸生产线建设是出于整体考虑的结果。中国具有巨大的市场潜力,是未来最为重要的市场。海力士意法半导体无锡工厂8英寸生产线已经可以进行量产,12英寸生产线的试产也已经完成。短期内,无锡工厂将以8英寸生产线为主,而中长期发展计划中,将以12英寸生产线为主。   20亿美元巨资打造12英寸线   海力士意法半导体无锡合资厂的总投资额为20亿美元,意法半导体与海力士半导体的股份比例1∶2,中国本地金融机构和意法半导体还为合资公司提供了联贷计划。该合资公司雇用大约2000名员工,绝大多数人来自本地劳动力。从新工厂到上海是两个小时的路程,工厂附近有大量的技术熟练的劳动力,高度发达的配套基础设施,以及巨大的扩展空间。  信息产业部综合规划司王建章代表信息产业部致辞时说,海力士意法半导体8英寸和12英寸超大规模集成电路生产项目的成功投产,必将提升我国集成电路产业的竞争力,为我国集成电路产业的发展注入新的生机和活力。集成电路产业是中国政府重点鼓励和发展的高新技术产业,十一五期间,中国政府将营造更加良好的产业环境,推动集成电路产业向更高层次推进。  韩国海力士半导体有限公司董事长兼首席执行官禹义济指出,无锡厂将成为海力士半导体发展成为世界第一内存芯片制造商的基础,与意法半导体加强战略伙伴合作关系,使得两家公司的合作能够发挥最佳效果,实现相互发展,无锡工厂是双方合作的重要一步。他说中国政府和无锡市为无锡工厂的建设提供大力支持,不仅能够巩固世界顶级半导体生产基地的地位,而且能为相关产业的发展和人力资源的培养起到建设性作用。  禹义济表示,投资中国建设生产线是海力士发展的重要一步。在中国无锡工厂建厂初期由于困难重重致使初期工厂建设进度落后于原计划,但是,随着时间的推移而逐步克服重重难关,反而促使无锡工厂提前竣工,1年多的工期低于同类建厂需要2年以上的时间,远远超过预期目标。同时也已完成设备转移、试产等任务。今后,具备高端生产技术的无锡工厂,将会采用最先进的加工技术,并站在全球内存制造厂的顶峰。 存储器仍是12英寸线唱主角   新投资的海力士意法半导体将制造NAND闪存和DRAM存储器芯片,这已经成为在中国建设的12英寸线的主流产品。不仅无锡工厂如此,中芯国际在北京建设的12英寸生产线生产的产品也是DRAM类产品。这是看到中国在2008年前将会成为世界最大的半导体市场,存储器产品市场份额将占全球半导体市场的1/4以上这一预期下产生的,海力士的产能将成为其扩大中国市场占有率的有力砝码。  据最新的iSupply资料显示,海力士DRAM目前在中国的销售量居第一位,市场份额约为47%。而对于意法半导体而言,无锡晶圆制造厂将加快意法半导体在NAND闪存市场的前进步伐,同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的高性能的具有成本竞争力的DRAM芯片。  海力士意法半导体工厂占地面积550000平方米,8英寸和12英寸生产线分别于2006年7月和10月开始量产。目前DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工艺,90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产,80nm晶圆在12英寸生产线上生产。2007年年中,两条生产线除生产现有的DRAM外,还将开始生产工艺先进的NAND闪存。在产能方面,8英寸生产线预计月产晶圆50000片,12英寸生产线的月产量将达到18000片晶圆。双方将根据市场情况分配产品和存储器密度。  Carlo Bozotti进一步指出,2005年NAND闪存市场的增长速度达到半导体市场有史以来的最高水平,而新建成的中国无锡工厂加工工艺将为60nm~55nm,即12英寸晶圆生产线从60nm SLC(单级单元)和MLC(多级单元)NAND技术快速向55nm以下节点过渡,进一步满足中国乃至全球市场增长要求,满足手机及数字消费市场用户对高性能和成本低廉的存储器解决方案的需求。

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